01中國：非鉛金屬鹵化物暖白光LED
近年來，可溶液法制備的金屬鹵化物鈣鈦礦在顯示、照明和能源領(lǐng)域展現(xiàn)出很大的應(yīng)用潛力。目前單色鉛基鈣鈦礦發(fā)光二極管（LED）的效率已經(jīng)接近商業(yè)化的有機(jī)發(fā)光二極管（OLED），但是鉛的毒性問題限制了其商業(yè)化應(yīng)用，并且高效白光鈣鈦礦LED仍是亟待解決的難題。
通�？梢岳梅倾U雙鈣鈦礦或銅基鹵化物的寬帶發(fā)射來獲得白光，然而目前報(bào)道的材料均難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高熒光發(fā)光效率和高電學(xué)性能，導(dǎo)致LED器件的發(fā)光效率和亮度都很低。
針對這一世界性難題，西北工業(yè)大學(xué)黃維院士和南京工業(yè)大學(xué)王建浦教授、王娜娜教授團(tuán)隊(duì)通過在銅基鹵化物前驅(qū)體溶液中引入非離子表面活性劑，首次實(shí)現(xiàn)了高效、高亮度非鉛暖白光金屬鹵化物L(fēng)ED，為鈣鈦礦發(fā)光二極管的商業(yè)化進(jìn)程奠定了基礎(chǔ)。
這一重要研究成果于近日刊登在學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》上，博士生陳紅、朱琳博士、薛晨博士為該論文共同第一作者。此工作拓展了非鉛金屬鹵化物材料體系，對實(shí)現(xiàn)高性能非鉛金屬鹵化物光電器件具有重要意義。
02美國：尺寸小于10微米的紅光Micro LED芯片
據(jù)外媒報(bào)道，美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校（University of California, Santa Barbara，UCSB）宣稱已首次展示了尺寸小于10微米的InGaN基紅光Micro LED芯片，并通過晶圓上量測得出外量子效率（EQE）為0.2%。
提升外量子效率仍重道遠(yuǎn)
此前，具備InGaN基紅光Micro LED芯片規(guī)�；慨a(chǎn)能力的法國半導(dǎo)體材料商Soitec，在2020年發(fā)布了50微米的InGaN基紅光Micro LED器件，不過，UCSB團(tuán)隊(duì)的發(fā)言人Shubhra Pasayat指出，Soitec并沒有公布外量子效率的數(shù)據(jù)。
Pasayat表示，小于10微米的Micro LED對于Micro LED產(chǎn)業(yè)可行性商業(yè)化來說至關(guān)重要。同時(shí)，除了尺寸小之外，Micro LED芯片的外量子效率必須至少為2-5%，才能夠滿足Micro LED顯示器的要求。
不過，本次UCSB展示的InGaN基紅光Micro LED芯片外量子效率僅為0.2%。對此，Pasayat坦言，雖然目前團(tuán)隊(duì)的研究結(jié)果還遠(yuǎn)達(dá)不到目標(biāo)，但是相關(guān)研究工作已進(jìn)入初步階段，并且可以預(yù)期未來將有實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展。
UCSB團(tuán)隊(duì)的下一個(gè)目標(biāo)就是提高紅光Micro LED芯片的外量子效率，目前正在計(jì)劃提升材料的質(zhì)量，改善生產(chǎn)步驟。
InGaN材料應(yīng)用前景可期
另值得注意的是，UCSB團(tuán)隊(duì)研究的是InGaN基紅光Micro LED，而非AlGaInP基紅光Micro LED，主要是因?yàn)楹笳叩男释ǔS著尺寸的縮小而降低等問題。Pasayat透露，到目前為止，AlGaInP基紅光Micro LED芯片最小尺寸為20微米，而外量子效率未知。
據(jù)了解，目前的紅光LED多由AlGaInP材料制成，在正常芯片尺寸下，其效率高達(dá)60%以上。然而，當(dāng)芯片尺寸縮小到微米量級時(shí)，效率會急劇降低至1%以下。
此外，在巨量轉(zhuǎn)移制程上，AlGaInP材料的劣勢也顯而易見。
巨量轉(zhuǎn)移要求材料具有良好的機(jī)械強(qiáng)度，以避免在芯片抓取和放置過程中出現(xiàn)開裂，而AlGaInP材料較差的力學(xué)性能會給巨量轉(zhuǎn)移增加新的難題。
相比之下，InGaN薄膜擁有寬帶隙可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，在可見光領(lǐng)域內(nèi)擁有廣闊的應(yīng)用前景，并且Micro LED全彩顯示是其中最有潛力的應(yīng)用之一。
據(jù)悉，InGaN材料具有較好機(jī)械穩(wěn)定性和較短空穴擴(kuò)散長度，且與InGaN基綠光、藍(lán)光Micro LED兼容，因此是紅光Micro LED的較佳選擇。
值得注意的是，江風(fēng)益院士團(tuán)隊(duì)去年公布了高光效InGaN基橙-紅光LED的研究突破，該研究結(jié)果也證明了InGaN材料在制作顯示應(yīng)用的紅光像素芯片上將有巨大潛力。
另外，UCSB曾與首爾偉傲世針對尺寸小于5微米Micro LED外量子效率變化趨勢展開研究，基于研究結(jié)果，他們認(rèn)為InGaN基紅光Micro LED有望幫助制造更小尺寸的全彩化Micro LED顯示器。
同時(shí)，雙方期望通過提高亮度和可靠性等因素，促使更小尺寸的InGaN基Micro LED應(yīng)用于智能手機(jī)、AR眼鏡及4K電視等高端顯示領(lǐng)域。
03日本：改善OLED屏幕藍(lán)光發(fā)射率和壽命
近期，日本九州大學(xué)(Kyushu University)研究團(tuán)隊(duì)宣布，采用一種新的發(fā)射體分子組合，能產(chǎn)生一種高效率的純藍(lán)色光線發(fā)射，并在一定時(shí)間內(nèi)保持亮度，克服過往OLED顯示屏幕缺乏高效能藍(lán)光的挑戰(zhàn)。
圖片來源：日本九州大學(xué)
目前OLED顯示屏幕在藍(lán)光光源方面遇到了挑戰(zhàn)，雖然有高性能的紅色和綠色有機(jī)發(fā)光二極管，但缺乏性能相似的藍(lán)色光源。研究人員表示，雖然目前紅色和綠色OLED的選擇越來越多，但仍缺乏能發(fā)射高效藍(lán)光的元件。藍(lán)光元件在效能、色彩純度、成本和壽命等條件經(jīng)常都要權(quán)衡、取舍。
研究人員補(bǔ)充，雖然目前市面上有基于熒光(Fluorescence)的藍(lán)光發(fā)射器雖然較穩(wěn)定，并已用于商業(yè)用的顯示器，但最高效率(Maximum Efficiency)低；而另一種磷光發(fā)射器(Phosphorescent Emitters)雖然可以100%實(shí)現(xiàn)理想中的量子效率(Quantum Efficiency)，但是壽命較短，且必須使用銥(iridium)或鉑(platinum)等昂貴的金屬材料。
九州大學(xué)有機(jī)光子學(xué)和電子學(xué)研究中心(OPERA)的研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了基于熱活化延遲熒光(Thermally Activated Delayed Fluorescence, TDAF)的發(fā)光分子，這種分子可以在沒有金屬原子的情況下實(shí)現(xiàn)同等的發(fā)光效率，且會表現(xiàn)出更廣泛顏色的發(fā)射能力。
研究人員使用了一種被稱為超熒光的雙分子方法，簡而言之就是分子迅速將不發(fā)光的三重態(tài)轉(zhuǎn)換為單線態(tài)，并將能量轉(zhuǎn)移到名為ν-DABNA的分子上進(jìn)行純藍(lán)色發(fā)射。研究人員指出，與大多數(shù)發(fā)射器相比，ν-DABNA可以吸收的波長非常接近其發(fā)射的顏色。這種獨(dú)特的性質(zhì)使其能夠從排放的中介中吸收大部分能量，并且仍然發(fā)出純藍(lán)色，進(jìn)一步改善了顏色純度和壽命。
研究人員估計(jì)，在更溫和的強(qiáng)度下，該設(shè)備可以保持50%的亮度超10,000小時(shí)；雖然這時(shí)間對于實(shí)際應(yīng)用而言仍有些短暫，但若是嚴(yán)格控制制造環(huán)境將有機(jī)會實(shí)現(xiàn)更長的使用壽命。希望不久之后，這個(gè)藍(lán)色OLED能取代現(xiàn)有的藍(lán)光發(fā)射器，以滿足超高解析度顯示屏幕需求。
